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第31屆IEEE國際功率半導體器件與集成電路會議(ISPSD 2019)圓滿舉辦

發布日期:2019-05-27  作者:  編輯:zhoux  訪問量:462

第31屆IEEE國際功率半導體器件與集成電路會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD))于5月19日至5月23日在中國上海圓滿舉辦。本次ISPSD國際會議由浙江大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦,由中國電機工程學會技術主辦,由電氣和電子工程師協會、IEEE電子器件學會、IEEE電力電子協會、IEEE工業應用協會、日本電氣工程師協會技術協辦。會議主席由浙江大學電氣工程學院院長盛況教授擔任。

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第31屆ISPSD會議開幕式

在開幕式上,ISPSD大會主席、浙江大學電氣工程學院院長盛況教授首先致歡迎辭,他對與會的專家、學者、同行表示熱烈的歡迎。他指出,自31年前在日本東京召開第1屆會議以來,ISPSD已成為國際上電力電子器件行業發展、技術進展和創新理念交流共享最重要的平臺,電力電子器件領域的重大研究成果和重要學術進展大多也在這個會議上首次發表。他希望通過此次會議,專家學者可以分享與交流最新的研究和發現,參會者也借此機會結交志同道合的朋友。他誠邀首次參加ISPSD的參會者以后每年都齊聚ISPSD,成為功率半導體器件集成電路大家庭的一員。

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ISPSD大會主席、浙江大學電氣工程學院院長盛況教授致辭

ISPSD技術程序委員會主席、香港科技大學Kevin Chen教授介紹了本次參會論文錄取情況,共收到摘要論文299篇,經過領域內權威專家的嚴格評審,最終入選128篇論文。

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ISPSD技術程序委員會主席、香港科技大學Kevin Chen教授作報告

30ISPSD大會主席、美國伊利諾伊斯理工大學John Shen宣讀了入選名人堂的兩位教授名單, Alex Lidow教授因對硅和氮化鎵率器件技術的卓越貢獻而獲此殊榮,Don Disney教授因其對功率IC技術的貢獻以及他在組織ISPSD會議中的領導作用而獲此殊榮。

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30ISPSD大會主席、美國伊利諾伊斯理工大學John Shen宣布入選名人堂名單

  ISPSD宣傳主席、多倫多大學Wai Tung Ng教授宣布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文獲得第30ISPSD會議最佳論文獎(Ohmi Best Paper Award)。

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ISPSD宣傳主席、多倫多大學Wai Tung Ng教授宣布最佳論文獎

本屆ISPSD國際會議“星光璀璨”,相關領域的國內外知名專家學者、企業界同行齊聚盛會。會議吸引了中國大陸、中國香港、中國臺灣、日本、美國、韓國、德國、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法國、比利時、印度等24個國家和地區的600余人參會。大會分設11場專題報告和2場海報報告,主題涵蓋了高壓和低壓器件、寬禁帶碳化硅和氮化鎵器件、功率集成電路、封裝與驅動等功率半導體領域的所有方面。

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ISPSD專題報告會會場

523日下午,ISPSD2019國際會議舉行閉幕式。閉幕式由大會主席、浙江大學電氣工程學院院長盛況教授主持他全面總結了本屆ISPSD國際會議的規模與成果,并宣讀了會議評選出的兩位最佳青年學者獎(Charitat Award)得主,來自加拿大多倫多大學的Wei Jia Zhang和來自日本京都大學的Takuya Maeda斬獲殊榮。

在會議交接儀式上,下一屆ISPSD主席、英飛凌公司的Oliver Haberlen博士代表主辦方介紹了下屆會議各項準備工作的進展,并邀請與會者于2020年蒞臨奧地利維也納共同參加下一次盛會。ISPSD的會議大旗由本屆主席盛況教授遞交到下屆主席Oliver Haberlen博士手中,標志著此次會議圓滿結束,下屆會議的周期正式開始。

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31屆、32ISPSD會旗交接儀式

本次會議獲與會者高度評價,一致感謝主辦方浙江大學的悉心操持,并認為會議議題全面而前沿,而上海的人文與自然景觀則使人印象深刻,流連忘返。

IEEE ISPSD是功率半導體領域最具影響力和規模最大的頂級國際學術會議,一般在日本、北美和歐洲之間輪換。本屆會議是ISPSD首次由中國大陸主辦,得益于中國電力電子器件和集成電路的高速發展,標志著我國本行業的發展進入新紀元!

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浙江大學電氣工程學院ISPSD會議志愿者


電氣工程學院外事交流與國際合作科






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